【eeprom芯片】eeprom是什么意思?eeprom是什么存储器?
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电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 芯片类似于 PROM 设备,但只需要电即可擦除。架构或状态、性能、功率特性和封装信息都是搜索 EEPROM 存储芯片时要考虑的重要参数。
搜索 EEPROM 存储芯片时需要考虑的重要架构或状态规范包括密度、字数、每字位数、总线类型和生产状态。密度是以位表示的存储芯片的容量。字数是指内存芯片组织中的“行”数。每行存储一个存储器字并连接到一条字线(存储器总线的一条线)以用于寻址目的。每个字的位数是指存储芯片组织中的“列”数。每列连接到一个读出/写入电路(一个位),该电路连接到芯片的数据输入/输出线。总线类型的常见选择包括并行、串行、串行 1 线、串行 2 线、串行 3 线、I 2C、Microwire、SPI 和串行 uPort。生产状态可以是活动的、已停产的或新的。有源 EEPROM 存储器芯片可用并且目前正在制造中。制造商不再提供停产的 EEPROM 存储芯片,但仍可能在供应链中找到。正如制造商所宣布的那样,新设备要么刚刚上市,要么即将上市。
EEPROM 存储器芯片的常见性能规格包括数据速率、访问时间、数据保留、耐用性和逻辑系列。数据速率是以赫兹为单位的传输速度。这是每秒可以在芯片内部移动的位数。访问时间是以纳秒 (ns) 为单位的时间度量,用于指示内存的速度。访问时间是一个循环,从 CPU 向内存发送请求的那一刻开始,到 CPU 接收到它请求的数据的那一刻结束。具体来说,对于同步设备,它是从时钟边沿到设备输出端数据可用的时间,通常以 ns 为单位。对于异步设备,它是从读取周期开始到数据输出可用的时间。数据保留时间是内存芯片无需重新加载即可保留数据的时间(以年为单位)。耐久性是芯片可以支持的最大写/读周期数。逻辑系列的常见选择包括 L、S、H、LS、AS、ALS、FAST、HC、HCT、AHC、AHCT、FCT、AC、ACT、AQC、ABT、ABTE、ABTH、BCT、BTL、CBT、FB、 GTL、GTLP、ALB、LV、LVC、LVCH、ALVC、LVT、LVTZ、ALVCH、LCX、VCX、CBTLV、CMOS (4000)、ECL 和 TTL。
选择 EEPROM 存储器芯片时要考虑的重要功率特性规格包括电源电压、功耗、工作电流和待机电流。电源电压的常见选择包括 –5 V、-4.5 V、-3.3 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、2.7 V、3 V、3.3 V、3.6 V 和 5 V。功耗为设备的总功耗。一般用瓦特或毫瓦表示。工作电流是有源芯片工作所需的最小电流。待机电流是芯片处于非活动状态时运行所需的最小电流。EEPROM 存储器芯片的常见封装信息包括引脚数、筛选级别、封装类型、封装材料和工作温度。
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