DDR2简介

DDR2 同步动态随机存取存储器( DDR2 SDRAM ) 是双倍数据速率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM)接口。它取代了最初的DDR SDRAM规范，并且本身被DDR3 SDRAM（于 2007 年推出）取代。DDR2 DIMM既不向前兼容DDR3，也不向后兼容DDR。

除了在 DDR SDRAM 中双抽数据总线（在总线时钟信号的上升沿和下降沿传输数据）之外，DDR2 允许更高的总线速度并通过以数据总线速度的一半运行内部时钟来降低功耗. 这两个因素相结合，每个内部时钟周期总共产生四次数据传输。

由于 DDR2 内部时钟以 DDR 外部时钟速率的一半运行，DDR2 内存以与 DDR 相同的外部数据总线时钟速率运行，因此 DDR2 能够提供相同的带宽但具有更好的延迟。或者，以两倍于 DDR 的外部数据总线时钟速率运行的 DDR2 存储器可以提供两倍的带宽和相同的延迟。最佳额定 DDR2 内存模块的速度至少是最佳 DDR 内存模块的两倍。商用 DDR2 DIMM 的最大容量为 8GB，但这些 DIMM 的芯片组支持和可用性很少，更常见的是每个 DIMM 使用 2GB。

DDR2概述 

DDR2 和 DDR SDRAM 的主要区别在于预取长度的增加。在 DDR SDRAM 中，预取长度是字中每一位的两位；而在 DDR2 SDRAM 中它是四位。在访问期间，从四位深的预取队列读取或写入四位。该队列在两个数据总线时钟周期内通过数据总线接收或传输其数据（每个时钟周期传输两位数据）。增加预取长度允许 DDR2 SDRAM 将数据通过数据总线传输的速率提高一倍，而不会相应地使 DRAM 阵列的访问速率增加一倍。DDR2 SDRAM 就是采用这样的方案设计的，以避免过度增加功耗。

DDR2 的总线频率因电气接口改进、片上终端、预取缓冲器和片外驱动器而得到提升。但是，作为权衡，延迟会大大增加。DDR2 预取缓冲区为 4 位深，而 DDR 为 2 位深。虽然 DDR SDRAM 的典型读取延迟在 2 到 3 个总线周期之间，但 DDR2 的读取延迟可能在 3 到 9 个周期之间，尽管典型范围在 4 到 6 个之间。因此，DDR2 内存必须以两倍的数据速率运行才能达到相同的延迟。

增加带宽的另一个成本是要求芯片采用更昂贵且更难组装的BGA封装，与前几代内存的TSSOP封装（如DDR SDRAM和SDR SDRAM ）相比。这种封装更改对于在更高总线速度下保持信号完整性是必要的。

节能的实现主要是由于通过芯片收缩改进了制造工艺，导致工作电压下降（1.8 V 与 DDR 的 2.5 V 相比）。较低的内存时钟频率还可以在不需要最高可用数据速率的应用中降低功耗。

根据 JEDEC [4]，最大推荐电压为 1.9 伏，当内存稳定性成为问题时（例如在服务器或其他关键任务设备中），应将其视为绝对最大值。此外，JEDEC 声明内存模块必须承受高达 2.3 伏的电压才能造成永久性损坏（尽管它们实际上可能无法在该级别正常工作）。

向后兼容性

DDR2 DIMM 不向后兼容 DDR DIMM。DDR2 DIMM 上的槽口与 DDR DIMM 的位置不同，并且引脚密度高于台式机中的 DDR DIMM。DDR2是240针模块，DDR是184针模块。笔记本有 200 针 SO-DIMM 用于 DDR 和 DDR2；但是，DDR2 模块上的凹槽与 DDR 模块上的位置略有不同。

高速 DDR2 DIMM 可以与低速 DDR2 DIMM 混合使用，尽管内存控制器将以与当前最低速 DIMM 相同的速度运行所有 DIMM。

与 GDDR 内存的关系

GDDR2 是GDDR SDRAM的一种形式，由三星开发并于 2002 年 7 月推出。[9]第一个声称使用“DDR2”技术的商业产品是Nvidia GeForce FX 5800显卡。但是，需要注意的是，显卡上使用的这种 GDDR2 内存本身并不是 DDR2，而是介于 DDR 和 DDR2 技术之间的早期中间点。使用“DDR2”来指代 GDDR2 是口语 用词不当。尤其是缺少 I/O 时钟速率的双倍性能增强功能。由于标称 DDR 电压，它存在严重的过热问题。此后，ATI将 GDDR 技术进一步设计到GDDR3中，它基于 DDR2 SDRAM，但添加了一些适用于图形卡的附加功能。

GDDR3和GDDR5现在普遍用于现代显卡和一些平板电脑。然而，声称使用“GDDR2”的预算和中档显卡的出现增加了进一步的混乱。这些卡实际上使用标准 DDR2 芯片，设计用作主系统内存，但运行时延迟更高以实现更高的时钟速率。这些芯片无法达到 GDDR3 的时钟频率，但价格便宜且速度足够快，可以用作中档显卡的内存。