DRAM、SRAM和SDRAM有什么区别？

答案一：

DRAM

动态随机存取存储器(DRAM)是一种广泛用作计算机系统主存储器的存储器。动态随机存取存储器(DRAM)是一种随机存取存储器，可将每一位数据存储在集成电路内的单独电容器中。电容器可以充电或放电；这两种状态被用来表示位的两个值，通常称为0和1。DRAM存储单元是动态的，因为它需要每隔几毫秒刷新或赋予新的电荷，以补偿电容器的电荷泄漏。

SRAM

SRAM（静态RAM）是随机存取存储器(RAM)，只要供电，它就会在其存储器中保留数据位。与存储在由电容器和晶体管组成的单元中的动态RAM(DRAM)不同，SRAM不必定期刷新。

SDRAM

同步动态随机存取存储器(SDRAM)是与系统总线同步的动态随机存取存储器(DRAM)。它是与微处理器优化的时钟速度同步的各种动态随机存取存储器(DRAM)的通用名称。S同步DRAM的缩写，一种可以以比传统内存高得多的时钟速度运行的DRAM。SDRAM实际上与CPU的总线同步，并且能够以133MHz运行，比传统FPMRAM快约三倍，比DRAM快约两倍。在许多新型计算机中，SDRAM正在取代EDODRAM。

答案二：

DRAM和SRAM技术之间的主要区别在于它们存储、访问和更新数据的方法，以及生产成本和易用性。

SRAM（静态随机存取存储器）单元通常比DRAM（动态RAM）单元大。它们通常具有6晶体管结构：四个晶体管形成单元的核心并存储数据位，另外两个访问晶体管在读取和写入操作期间控制对核心的访问。SRAM之所以被称为静态是有原因的：只要内存芯片通电，就可以保证SRAM单元中的数据保持稳定。这意味着，与DRAM单元不同，SRAM单元不必每64毫秒刷新一次。

DRAM（动态RAM）芯片在结构上更简单：您的常规DRAM单元将由一个晶体管和一个存储单元状态（0或1）的电容器组成。数据以一定电压的电流形式存储在电容器中：低电压代表0，高电压代表1。

DRAM的问题在于电容器中的电流容易耗散，因此必须每64毫秒对电池进行一次充电。在充电过程中，内存芯片有效地停止并且不能被CPU使用。更糟糕的是，读取电池的状态会耗尽电容器，因此读取操作之后必须进行充电。再加上一个单元的充电和放电确实需要一些时间，这使得DRAM比SRAM慢得多。

那么，为什么DRAM无处不在，而SRAM却很少超越CPU（高速缓存）的边界？速度和效率是有代价的：SRAM芯片要贵得多，因为它们在结构上比DRAM更复杂。普通用户几乎买不起具有8gbSRAM的计算机，而8gbDDR2DRAM在Ebay上的价格约为20-30美元。