DRAM 和 SDRAM 内存芯片

动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片是单晶体管存储器单元，它使用小电容器以由行和列组成的可寻址格式存储存储器的每一位。由于电容器无法无限期地保持电荷，因此 DRAM 内存芯片需要近乎恒定的电流脉冲来保留存储的信息。如果不刷新 DRAM 内存芯片，数据就会丢失。虽然比同步随机存取存储器 (SRAM) 便宜，但 DRAM 需要额外的处理时间来恢复存储器地址的内容。DRAM 广泛用于个人计算机和工作站。常见的 DRAM 类型包括扩展快速页面模式 (FPM) DRAM 和扩展操作 (EO) DRAM。

规格

DRAM 内存芯片在密度、字数、每字位数、内部空白、电源电压和工作温度方面各不相同。

• 密度是芯片的容量，以比特为单位。

• 字数等于行数，每行存储一个内存字并连接到字线用于寻址目的。

• 每个字的位数是列数，每列都连接到一个读出/写入电路。

• 电源电压范围为 - 5 V 至 5 V，包括 -4.5 V、-3.3 V、-3 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3 V、3.3 V 和 3.6 V 等中间电压。

• 一些 DRAM 内存芯片支持特定的温度范围，并具有适用于商业或工业应用的机械和电气规格。

• 其他 DRAM 内存芯片符合军用规范 (MIL-SPEC) 的筛选级别。 

选择标准

选择 DRAM 内存芯片需要分析性能规格，例如访问时间、刷新率和刷新选项。

• 访问时间以纳秒 (ns) 为单位，表示内存的速度，表示从 CPU 向内存发送请求时开始到 CPU 接收到请求的数据时结束的周期。 

• 刷新率通常以千字节 (KB) 表示，它描述了必须重新充电的数据的大小。

• 自刷新 DRAM 内存芯片包括独立于 CPU 或外部刷新电路刷新设备的技术。自刷新 DRAM 内存芯片可显着降低功耗，通常用于笔记本电脑和膝上型电脑。  

逻辑系列

选择 DRAM 内存芯片需要对逻辑系列进行分析。晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 和相关技术，如飞兆先进的肖特基 TTL (FAST)，使用晶体管作为数字开关。相比之下，发射极耦合逻辑 (ECL) 使用晶体管来引导电流通过计算逻辑函数的门。另一个逻辑系列，互补金属氧化物半导体 (CMOS) 使用 p 型和 n 型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的组合来实现逻辑门和其他数字电路。数字比较器的逻辑系列包括交叉开关技术 (CBT)、砷化镓 (GaAs)、集成注入逻辑 (I ²L) 和蓝宝石上硅 (SOS)。还提供带有收发器逻辑 (GTL) 的喷枪和带有收发器逻辑 plus (GTLP) 的喷枪。

封装类型、引脚和触发器 

DRAM 存储芯片有多种 IC 封装类型，并具有不同数量的引脚和触发器。DRAM 内存芯片的基本 IC 封装类型包括球栅阵列 (BGA)、四方扁平封装 (QFP)、单列直插式封装 (SIP) 和双列直插式封装 (DIP)。有许多包装变体可供选择。例如，BGA 变体包括塑料球栅阵列 (PBGA) 和带球栅阵列 (TBGA)。QFP 变体包括薄型四方扁平封装 (LQFP) 和薄四方扁平封装 (TQFP)。DIP 有陶瓷 (CDIP) 或塑料 (PDIP) 两种。其他 IC 封装类型包括小外形封装 (SOP)、薄型小外形封装 (TSOP) 和缩小小外形封装 (SSOP)。 

标准

JEDEC JESD 79-4 - DDR4 SDRAM