闪存芯片是什么意思

2022-03-03 15:38:37 10

闪存芯片     闪存芯片   

     

闪存芯片是电可擦除、可编程、只读存储器 (EEPROM) 芯片,可以逐块擦除和重新编程,而不是一次一个字节。因为它们是非易失性的,所以闪存芯片不需要恒定的电源来保留它们的数据。闪存芯片提供极快的访问时间、低功耗以及对剧烈冲击或振动的相对免疫力。它们的寿命约为 100,000 次写入周期——这一事实使闪存不适合用作计算机主存储器。通常,闪存芯片用于便携式或紧凑型设备,例如数码相机、手机、寻呼机和扫描仪。闪存芯片还用作笔记本电脑中的固态磁盘和视频游戏机的存储卡。 

   

闪存芯片的类型

   
闪存芯片在密度、引导块大小、字数、每字位数、门技术和特殊功能方面各不相同。密度是芯片的容量,以比特为单位。引导块大小是用于存储引导代码的安全块。字数等于行数,每行存储一个内存字并连接到字线用于寻址目的。每个字的位数是列数,每列都连接到一个读出/写入电路。一些闪存芯片支持 NAND 或串行访问门技术。其他设备支持 NOR 或随机存取门技术。在特殊功能方面,闪存芯片可以按位或逐页读取。可以同时读取和写入提供写入时读取 (RWW) 操作的闪存芯片。 

   

闪存芯片如何选择

    
选择闪存芯片需要分析性能规格,例如访问时间、数据保留、耐用性、电源电压和工作温度。访问时间以纳秒 (ns) 为单位,表示内存的速度,表示从 CPU 向内存发送请求开始到 CPU 接收到请求的数据结束的一个周期。数据保留是芯片可以保留数据而无需重新加载的年数。耐久性是芯片可以支持的最大读/写周期数。电源电压范围为 - 5 V 至 5 V,包括 -4.5 V、-3.3 V、-3 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3 V、3.3 V 和 3.6 V 等中间电压。一些闪存芯片支持特定的温度范围,并具有适用于商业或工业应用的机械和电气规格。

选择闪存芯片需要对逻辑系列进行分析。晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 和相关技术,如飞兆先进的肖特基 TTL (FAST),使用晶体管作为数字开关。相比之下,发射极耦合逻辑 (ECL) 使用晶体管来引导电流通过计算逻辑函数的门。另一个逻辑系列,互补金属氧化物半导体 (CMOS) 使用 p 型和 n 型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的组合来实现逻辑门和其他数字电路。闪存芯片的逻辑系列包括交叉开关技术 (CBT)、砷化镓 (GaAs)、集成注入逻辑 (I 2 L) 和蓝宝石上硅 (SOS)。还可以使用喷枪收发器逻辑 (GTL) 和喷枪收发器逻辑加 (GTLP)。

    

闪存芯片包装选项

   
闪存芯片有多种 IC 封装类型,并具有不同数量的引脚和触发器。基本 IC 封装类型包括球栅阵列 (BGA)、四方扁平封装 (QFP)、单列直插式封装 (SIP) 和双列直插式封装 (DIP)。有许多包装变体可供选择。例如,BGA 变体包括塑料球栅阵列 (PBGA) 和带球栅阵列 (TBGA)。QFP 变体包括薄型四方扁平封装 (LQFP) 和薄四方扁平封装 (TQFP)。DIP 有陶瓷 (CDIP) 或塑料 (PDIP) 两种。其他 IC 封装类型包括小外形封装 (SOP)、薄型小外形封装 (TSOP) 和缩小小外形封装 (SSOP)。

   

闪存芯片相关标准

    

  • SMD 5962-08245 - 微电路,存储器,数字,3.3 伏启动块闪存 EPROM,2M X 32 位,单片硅

  • SMD 5962-97609 - 微电路、存储器、数字、闪存 EPROM、2M X 8 位、单片硅

  • SMD 5962-97599 - 微电路、存储器、数字、CMOS、电可改变闪存可编程逻辑器件、单片硅


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