FRAM存储器是什么意思？

FRAM 存储芯片的存储单元包含特定的铁电材料，例如锆或钛的晶体，或氧和铅的晶体。FRAM 存储器比闪存快得多。

• 铁电 RAM (FeRAM)是一种基于电场方向的非易失性存储器，具有近乎无限次数（5V 器件超过 1010 个，3.3V 器件甚至更多）的写入-擦除周期。

• FRAM 存储芯片结合了 SRAM 的优点，即写入速度与读取速度大致相同（70-200 ns），以及 EPROM 的非易失性和在线可编程性。

• 非易失性 FRAM 存储器为各种先进的电子计量系统提供优化的、易于使用的解决方案，无论是计量电、水、气还是热。

FRAM 存储器芯片还没有提供DRAM和SRAM的位密度，但它们是非易失性的，比 Flash/EEPROM 存储器更快（写入时间低于 100 纳秒），并且它们的功耗要求非常低。

制造业

FRAM 存储器技术与行业标准 CMOS 制造工艺兼容。铁电薄膜放置在 CMOS 基层上并夹在两个电极之间。

金属互连和钝化完成了该过程。在正常的半导体制造过程中，可以使用两个额外的掩膜步骤制造铁电存储器芯片，从而有可能将 FRAM 完全集成到微控制器和其他芯片中。

Flash 通常需要九个掩码。这使得 FRAM 作为微控制器上的嵌入式非易失性存储器特别有吸引力，其中更简单的过程可以降低成本。然而，用于制造 FRAM 存储器芯片的 FRAM 存储器半导体在集成电路制造的其他地方并不常用。FRAM 内存芯片的设计和制造符合大多数行业规范。

应用

FRAM 存储芯片用于许多应用。通常在电子设备中发现 FRAM 存储芯片，用于存储少量非易失性数据。带有串行接口的小型 FRAM 存储器芯片常见于许多电子设备中。FRAM 内存芯片的主要供应商是 Ramtron International。