【sram存储器】sram是什么意思

sram是什么意思

sram描述

静态随机存取存储器 (SRAM) 芯片是双晶体管存储单元，需要持续供电才能保留其内容。SRAM 内存芯片的常见应用包括系统缓存和视频内存。

每个 SRAM 位都是一个由交叉耦合反相器组成的触发器电路。晶体管的激活控制电流从一侧流向另一侧。晶体管连接在一起，以便在任何时候只有一个晶体管输入或输出。

当接收到电源时，所有 SRAM 单元都处于逻辑状态 1 (ON)。随后的数据写入将一些单元更改为逻辑阶段 0 (OFF)。这种状态一直保持到下一次写操作或断电时。

因为它们使用多个晶体管，所以 SRAM 存储芯片比DRAM 存储芯片更昂贵并且需要更多的功率；但是，由于不需要不断刷新，SRAM 存储芯片更快、更可靠。

规格

密度是芯片的容量，以比特为单位。

字数等于行数，每行存储一个内存字并连接到字线用于寻址目的。

每个字的位数是列数，每列都连接到一个读出/写入电路。

电源电压范围为 - 5 V 至 5 V，包括许多中间电压。

访问时间以纳秒 (ns) 为单位，表示内存的速度，表示从中央处理单元 (CPU) 向内存发送请求开始到 CPU 收到请求的数据时结束的周期。

周期时间是执行单个读取或写入操作和重置内部电路以便可以开始另一个操作所需的时间。

数据保持电压和数据保持电流分别是 SRAM 存储单元为了保存存储的数据而必须保持的最小电压和最小电流。

以赫兹 (Hz) 为单位测量的数据速率是每秒可在内部移动的位数。

逻辑系列

晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 和相关技术，如飞兆先进的肖特基 TTL (FAST)，使用晶体管作为数字开关。相比之下，发射极耦合逻辑 (ECL) 使用晶体管来引导电流通过计算逻辑函数的门。

另一个逻辑系列，互补金属氧化物半导体 (CMOS) 使用 p 型和 n 型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的组合来实现逻辑门和其他数字电路。

SRAM 存储器芯片的逻辑系列包括：

• 交叉开关技术 (CBT)

• 砷化镓 (GaAs)

• 集成注入逻辑 (I ² L)

• 蓝宝石上硅 (SOS)

• 使用收发器逻辑 (GTL) 进行喷补

• 使用收发器逻辑加 (GTLP) 进行喷补

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IC封装类型

SRAM 存储器芯片有多种 IC 封装类型和不同数量的引脚。SRAM 存储芯片的基本 IC 封装类型包括：

• 球栅阵列 (BGA) - 变体包括塑料球栅阵列 (PBGA) 和胶带球栅阵列 (TBGA)。

• 四方扁平封装 (QFP) - 变体包括薄型四方扁平封装 (LQFP) 和薄四方扁平封装 (TQFP)。

• 双列直插式封装 (DIP) - 变体包括陶瓷 (CDIP) 和塑料 (PDIP)。

• 单列直插式封装 (SIP)

• 小外形封装 (SOP)

• 薄型小外形封装 (TSOP)

• 收缩小外形封装 (SSOP)

标准

MIL-M-38510/245 - 微电路、数字、CMOS、4096 位、静态随机存取存储器 (SRAM)、块状硅和蓝宝石上的硅

MIL-M-38510/292 - 微电路、数字、CMOS、65,536 位静态随机存取存储器 (SRAM) 单片硅