LPDDR4简介 LPDDR4与LPDDR3内存芯片相比的变化

经过LPDDR2和LPDDR3的发展，LPDDR4开始在智能手机、平板电脑等移动终端上大放异彩，大大提升了智能产品的性能。

由于输入/输出接口的数据传输速度最高可达3200Mbps，是常用DDR3DRAM的两倍，新推出的8GbLPDDR4内存可以支持超高清图像的拍摄和播放，可以连续拍摄2000万像素高清照片。

LPDDR3内存技术在手机上的容量一般为2G到4G，而LPDDR4的带宽和频率是LPDDR内存的两倍，最大支持8GB的容量，让日常使用的智能手机在功能和用途上有更大的可能。支持LPDDR4内存技术的手机以Iphone6s、三星s6、三星s7、华为mate8为代表。

与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的工作电压降为1.1伏，是适用于大屏幕智能手机和平板电脑以及高性能网络系统的最低功耗存储方案。以2GB内存封装为例，与基于4GbLPDDR3芯片的2GB内存封装相比，基于8GbLPDDR4芯片的2GB内存封装由于工作电压的降低和处理速度的提高。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的LowVoltageSwingTerminatedLogic(LVSTL)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的功耗，而且使芯片能够在低电压。

LPDDR4X内存的出现，主要解决了用户手机耗电的问题。它的电源电压已经从DDR4的1.1v下降到0.6v，这是一个质的飞跃。与LPDDR3和LPDDR4相比，分别省电50%和47%。

2012年3月14日，JEDEC举办了一次会议，探讨未来移动设备需求将如何推动即将推出的标准，如LPDDR4。2013年12月30日，三星宣布已开发出第一款20纳米级8吉比特(1GB)LPDDR4，能够以3,200MT/s的速度传输数据，从而提供比最快的LPDDR3高50%的性能，并且消耗大约在1.1伏电压下可减少40%的能量。

2014年8月25日，JEDEC发布了JESD209-4LPDDR4低功耗存储器件标准。

重大变化包括：

接口速度翻倍，以及随之而来的大量电气变化，包括将I/O标准更改为低电压摆幅终端逻辑(LVSTL)

内部预取大小和最小传输大小加倍

从10位DDR命令/地址总线更改为6位SDR总线

从一个32位宽总线更改为两个独立的16位宽总线

自刷新由专用命令启用，而不是由CKE线控制