LPDDR3简介

第三代低功耗内存技术LPDDR3的标准规范由JEDEC固态技术协会于2012年5月正式发布。LPDDR3还支持PoP堆叠封装和独立封装，以满足不同类型移动设备的需求。LPDDR2的能效特性和信号接口也得到了延续。

LPDDR3 还增加了新技术：

(1) Write-Leveling and CA Training：允许内存控制器补偿信号偏差，以确保内存以业界最快的输入总线速度运行，同时保持数据输入设置，以及指令和地址的输入时序。  

(2) On Die Termination/ODT：可选技术。它为 LPDDR3 数据平面添加了轻量级终结器，提高了高速信号传输，并将对功耗、系统操作和引脚数的影响降至最低。

2012 年 5 月，JEDEC发布了 JESD209-3 低功耗存储器件标准。与 LPDDR2 相比，LPDDR3 提供更高的数据速率、更大的带宽和功率效率以及更高的内存密度。LPDDR3 实现了 1600 MT/s 的数据速率并利用了关键的新技术：写入均衡和命令/地址训练、可选片上终端 (ODT) 和低 I/O 电容。LPDDR3 支持层叠封装 (PoP) 和离散封装类型。

命令编码与 LPDDR2 相同，使用 10 位双倍数据速率 CA 总线。[7]但是，该标准仅规定了 8 n -prefetch DRAM，并且不包括闪存命令。

使用 LPDDR3 的产品包括 2013 MacBook Air、iPhone 5S、iPhone 6、Nexus 10、三星 Galaxy S4 (GT-I9500) 和 Microsoft Surface Pro 3。LPDDR3 在 2013 年成为主流，运行速度为 800 MHz DDR（1600 MT/s），提供与 2011 年 PC3-12800笔记本内存相当的带宽（12.8 GB/s 带宽）。为了达到这个带宽，控制器必须实现双通道内存。例如，Exynos 5 Dual 和 5 Octa 就是这种情况。

名为 LPDDR3e 的规范的“增强”版本将数据速率提高到 2133 MT/s。三星电子推出了首款 4  Gb 20 nm 级 LPDDR3 模块，能够以高达 2,133 MT/s 的速度传输数据，是仅能达到 800 MT/s 的旧 LPDDR2 性能的两倍多。来自不同制造商的各种SoC也原生支持 800 MHz LPDDR3 RAM。其中包括来自Qualcomm [15]的Snapdragon 600 和 800以及来自Exynos和Allwinner系列的一些 SoC。